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    2018-12-22英特尔、三北京赛车滚雪球星将目光移向了嵌入

      上周,在第64届国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球两大半导体巨头展示了嵌入式MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。

      首先,我们来了解一下 MRAM (Magnetic Random Access Memory),它是一种非易失性的磁性随机存储器。拥有静态随机存储器 (SRAM) 的高速读取写入能力,以及动态随机存储器 (DRAM) 的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。

      这项技可以理解为一个“生产准备就绪”的阶段,英特尔也没有像任何代工客户透露该流程信息,但从多个消息源来看,目前正在运输出货的商品已经采用了这项技术。

      与此同时,三星 (Samsung) 在 28nm FDSOI 平台上描述了 STT-MRAM。在可扩展性、形状依赖性、磁性可扩展性等方面来衡量,STT-MRAM 目前被认为是最好的 MRAM 技术。

      MRAM 技术自 20 世纪 90 年代以来一直在发展,但尚未取得广泛的商业成功。三星研发中心首席工程师,公司IEDM论文的主要作者 Yoon Jong Song表示:“我认为现在是时候,该展示一下我们在制造化和商业化方面的成果了。”

      随着行业向更小的节点转变,在技术上面临着严峻的可扩展性挑战。MRAM 除了被视为能够取代传统存储器芯片 DRAM 和 NAND 的候选者,还被视为一项充满吸引力的嵌入式技术,可以替代闪存和嵌入式 SRAM。

      因为它具有快速读取写入时间,高耐用性和强保留性。嵌入式 MRAM 被认为特别适用于例如物联网(IoT) 设备之类的应用。自去年以来,Globalfoundries 就其 22 FDX 22nm FD-SOI 工艺提供嵌入式MRAM。但业内分析师 Jim Handy 表示,他并不知情 Globalfoundries 的嵌入式 MRAM 技术具体有哪些商业化的应用。

      但随着制造成本下降以及其他存储器技术面临可扩展性挑战,嵌入式 MRAM 正在获得更多考虑。 “重要的是,随着新工艺技术的发展,SRAM 单元的尺寸不会随着剩余的工艺而缩小,从这点来看,MRAM 变得越来越有吸引力,” Handy说。

      在其论文中,英特尔表示其嵌入式 MRAM 技术可在 200 摄氏度下实现长达 10 年的记忆期,并可在超过 106 个开关周期内实现持久性。该技术使用 216mm×225mm 1T-1R 存储单元。

      与此同时,三星也称其 8Mb MRAM 的续航能力为 106 次,记忆期为 10 年。

      Song 表示,三星技术最初将用于物联网应用。他说,在将其用于汽车和工业应用之前,可靠性必须提高。 “我们已成功将技术从实验室转移到工厂,并将在不久的将来将其推向市场”。

      利用MRAM技术实现工作频率达400MHz的非易失性逻辑电路

      基于magnum II测试系统的MRAM VDMR8M32测试技术研究

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      Molex 全球产品经理 Bob Wang 表示:“这是 Molex 第一次采用了有线可定制连接器端接方式的防水外部天线。与市场上的其他公司相比,能够以更具竞争力的价格推出这一新产品,我们倍感高兴。”

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